您所在的位置: 首页 > 专利技术 > 正文
专利基本信息
专利名称 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN109293384B
专利申请日期 2018-10-31 专利类型 发明专利
申请公布号 201811287055X 申请公布日 2018-10-31
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 韩文波;程业红;张幸红;胡平;周善宝;洪长青
专利权人 哈尔滨工业大学
专利摘要 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法,涉及一种硼化锆基超高温独石陶瓷材料的制备方法。目的是解决ZrB2基超高温陶瓷抗损伤容限差及ZrB2基纤维独石陶瓷存在严重面内各向异性的问题。制备方法:将聚醚砜溶解在N‑甲基吡咯烷酮中,并与ZrB2粉体和SiC粉体进行球磨混料得到ZrB2‑SiC浆料,ZrB2‑SiC浆料挤出固化得到连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维;ZrB2粉体、SiC粉体与Graphene分散在去离子水中得到ZrB2‑SiC‑Graphene浆料;连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维涂覆ZrB2‑SiC‑Graphene浆料并烘干,进行预压、高温排胶和热压烧结。本发明解决了单轴排列的ZrB2基纤维独石陶瓷的面内各向异性的问题,抗损伤容限得到提升。本发明适用于制备硼化锆基超高温独石结构陶瓷。
专利价值评估分析
相关推荐
Baidu
map