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专利基本信息
专利名称 双色单光子源结构的制备方法及制备的结构
专利状态 - 专利号(申请号) CN108365517B
专利申请日期 2018-01-03 专利类型 发明专利
申请公布号 2018100049340 申请公布日 2018-01-03
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 喻颖;李彦;吴泽儒;陈晓添;余思远
专利权人 中山大学
专利摘要 本发明提供了一种双色单光子源结构的制备方法,包括有以下步骤:S1.在半导体衬底上生长并制备纳米线单量子点结构;S2.对纳米线单量子点结构进行部分平整化,露出纳米线顶端的应力小岛;S3.使用机械剥离法制作二维薄膜,并将二维薄膜转移至应力小岛上,完成制备。
专利价值评估分析
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