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专利基本信息
专利名称 基于纳米球掩模的低欧姆接触GaN基HEMT制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN109728087B
专利申请日期 2019-01-08 专利类型 发明专利
申请公布号 2019100163938 申请公布日 2019-01-08
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 张进成;张燕妮;周弘;林志宇;封兆青;肖明;宁静;郝跃
专利权人 西安电子科技大学
专利摘要 本发明公开了一种基于纳米球掩膜的低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管制备方法,主要解决GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻较大的问题。其实现为:在清洗后的外延片上淀积SiO2;在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区域光刻和涂附微纳米氧化铝微纳球;通过纳米球掩模刻蚀掉外延片上源漏区的SiO2层和AlGaN层,形成源漏区图形化纳米通孔,并进行清洗;在清洗后的外延片上生长n+‑GaN,并去除生长有n+‑GaN的外延片上的剩余的SiO2层;再进行源漏金属淀积,并热退火;在退火后的外延片上进行栅极制作。本发明欧姆接触电阻低,刻蚀工艺简单,可用于制作电力电子器件。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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