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专利基本信息
专利名称 一种磁流体包覆的全光纤矢量磁场传感器及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN109709498A
专利申请日期 2019-01-09 专利类型 发明专利
申请公布号 2019100187203 申请公布日 2019-01-09
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 乔学光;张军英;王若晖
专利权人 西北大学
专利摘要 一种磁流体包覆的全光纤矢量磁场传感器及其制备方法,光纤干涉仪由导入和导出单模光纤以及两者之间锥形两模光纤构成,为了增强两模光纤中LP01和LP11模式的干涉强度,利用飞秒激光聚焦在锥形两模光纤腰径处的包层形成折射率调制区。由于传感器相对于光纤轴的位置不对称性,折射率调制区同时提供了明显的方向性依赖。对于纳米磁性材料,利用了磁场对其折射率的可调谐性。通过磁性材料和不对称锥形两模光纤之间倏逝场的耦合作用,实现磁场对LP01和LP11模式的有效折射率的调制作用,从而使光纤干涉仪输出的光谱信号受磁场矢量调制,构成光纤矢量磁场传感器。本发明为全光纤磁场传感器,传输损耗低,稳定性较高,可实现高灵敏度磁场矢量传感测量。
专利价值评估分析
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