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专利基本信息
专利名称 晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN102842492A
专利申请日期 2012-07-24 专利类型 发明专利
申请公布号 2012102562235 申请公布日 2012-07-24
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 杜国平;陈楠
专利权人 南昌大学
专利摘要 一种晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法,首先采用磁控溅射法、电子束蒸发法、或丝网印刷法等技术方法在晶体硅表面制备一层铝硼膜层,其中硼含量为0.001wt%-5wt%,优选0.05wt%-1wt%;然后激光照射铝硼膜层使之熔化,同时其底下的硅也随之熔化,形成铝、硼、硅共熔体。当激光被切断电源或移开之后,该区域迅速冷却,硅从共熔体中析出开始结晶生长,部分铝原子和硼原子留在该结晶硅中,从而实现晶体硅的铝硼共掺杂,剩余的铝和硼将在该区域的表面凝固成膜,并与其他未受激光照射的铝硼膜层相互接触形成电极。本方法与现有文献报道的方法相比具有稳定性高、工艺简单的特点。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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