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专利基本信息
专利名称 在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器
专利状态 - 专利号（申请号） CN105220112B
专利申请日期 2015-09-14 专利类型 发明专利
申请公布号 2015105839968 申请公布日 2015-09-14
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 廖斌;欧阳晓平;王宇东;吴先映;张旭;罗军
专利权人 北京师范大学
专利摘要 本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器,其中,该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括:采用磁过滤阴极真空弧沉积方法,在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜;在所述第一层DLC膜之上,采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层;在所述薄膜过渡层之上,采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜。通过实施本发明,在多晶CZT上沉积DLC膜能够保护多晶CZT,减小漏电流。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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