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专利基本信息
专利名称 具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜
专利状态 - 专利号（申请号） CN212209532U
专利申请日期 2019-11-18 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2019219899296 申请公布日 2019-11-18
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李国强;李媛;洪晓松;王文樑;邢志恒
专利权人 华南理工大学
专利摘要 本实用新型公开了具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜。所述LED外延薄膜包括n‑GaN,依次生长在n‑GaN上的MOCVD制备的InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱、电子阻挡层、p‑GaN层。本实用新型提出的高内量子效率近紫外LED外延薄膜具有结构简单、效率高、可有效改善量子阱材料质量的特点,可广泛应用于近紫外、蓝光、黄绿光LED等领域。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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