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专利基本信息
专利名称 一种以In2O3为靶材制备InN薄膜材料的方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN107012423B
专利申请日期 2017-03-03 专利类型 发明专利
申请公布号 2017101241494 申请公布日 2017-03-03
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王雪文;张繁;吴朝科;翟春雪;张志勇;赵武;张远
专利权人 西北大学
专利摘要 本发明公开了一种InN薄膜的制备方法,包括以下步骤,用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水清洗硅片;清洗后的硅片进行磁控溅射沉积InN薄膜。本发明研究首次采用In2O3靶,在溅射温度600℃,溅射压强0.6Pa时,生长出纯的InN薄膜材料,且微观形貌颗粒逐渐增大、结晶质量好、纯度高、没有杂质生成。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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