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专利基本信息
专利名称 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件
专利状态 - 专利号（申请号） CN109427974B
专利申请日期 2017-08-22 专利类型 发明专利
申请公布号 2017107252647 申请公布日 2017-08-22
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 孟虎;梁学磊;夏继业;黄奇
专利权人 京东方科技集团股份有限公司;北京大学
专利摘要 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化,其中,形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层,所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动,对有源层具有空穴掺杂的效果,从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题,提升产品的性能。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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