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专利基本信息
专利名称 一种高质量CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN103215034A
专利申请日期 2013-03-15 专利类型 发明专利
申请公布号 2013100850849 申请公布日 2013-03-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李林松;申怀彬
专利权人 河南大学
专利摘要 本发明涉及荧光半导体纳米材料制备技术领域,特别涉及到一种低成本,环保,简单,可控的合成高质量CuInZnxS2+x/ZnS(0≤x≤1)核壳结构半导体纳米晶的方法。通过采用常规的铜盐,铟盐,锌盐作为阳离子前驱体,采用硫醇作为硫源和表面配体,合成的CuInZnxS2+x/ZnS(0≤x≤1)核壳结构半导体纳米晶荧光范围可以在530-830nm之间连续调节,荧光量子产率处于40-70%,稳定性好。本发明为CuInZnxS2+x/ZnS(0≤x≤1)核壳结构半导体纳米晶的工业化大规模合成提供了一个新的方法。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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