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专利基本信息
专利名称 一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN103515180B
专利申请日期 2013-05-16 专利类型 发明专利
申请公布号 2013101824324 申请公布日 2013-05-16
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 刘飞;许宁生;莫富尧;郭同义;邓少芝;陈军
专利权人 中山大学
专利摘要 本发明提供一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法。该方法是将氧化钨纳米材料薄膜作为场发射结构的阴极,并放置于高真空测试腔中。首先在场发射结构的阴?栅或阴?阳极之间施加高电压实现场致电子发射,再将重原子质量的气体(例如Ar)和强还原性的气体(例如H2)先后引入到纳米材料薄膜和阳极之间,保持一定的工作气压,再利用高电压形成等离子体辉光放电,在场发射的过程中对氧化钨纳米材料薄膜样品进行原位处理,最终达到提高其场发射特性的目的。该方法具有使用设备简单、处理气体廉价的特点。经过本方法处理后的氧化钨纳米材料薄膜其开启电场和阈值电场变低,场发射址的分布均匀性和亮度分布均匀性获得有效改善。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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