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专利基本信息
专利名称 一种制备高纯纳米钼粉的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN110227826B
专利申请日期 2018-07-25 专利类型 发明专利
申请公布号 2018108261277 申请公布日 2018-07-25
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 张国华;孙国栋
专利权人 北京科技大学
专利摘要 一种制备高纯纳米钼粉的方法。以三氧化钼或钼酸铵为钼源,将三氧化钼和碳黑按摩尔比1:0.5‑1:2.0配料混匀,制备出碳含量极低的含一定量纳米钼核心的二氧化钼,然后用氢气将含有纳米钼核心的二氧化钼进行还原,即可得到碳含量极低的高纯纳米钼粉。本发明解决了传统使用氢气还原三氧化钼制备二氧化钼和钼粉的过程中难以制备出纳米钼粉的问题。在本发明中,使用较细的炭黑为还原剂,在二氧化钼中生成一定量的分散的纳米钼核心,这些分散的细小的纳米钼核心可以辅助氢气还原二氧化钼生成钼纳米颗粒。本发明制备出的纳米钼粉平均粒度在40‑200nm,碳含量可小于0.01%。本发明原料成本低,产品纯度高,粒度小,工艺简单,生产效率高,适合大规模工业化生产高纯纳米钼粉。
专利价值评估分析
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