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专利基本信息
专利名称 一种检测痕量汞离子的电化学方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN109444229B
专利申请日期 2018-09-07 专利类型 发明专利
申请公布号 2018110476031 申请公布日 2018-09-07
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 刘国坤;邹义松;卢江龙;郑红;王炬勇;张玉龙;田中群
专利权人 厦门大学
专利摘要 本发明公开了一种检测痕量汞离子的电化学方法,包括如下步骤:(1)在电解池中放置工作电极、参比电极和对电极构成三电极体系,并接入电化学分析装置;(2)在电解池中加入含有一定浓度卤素离子/类卤素离子的盐酸溶液作为支持电解液,再加入汞离子标液;(3)上述溶液中的汞离子在负电位下电沉积于工作电极表面,用阳极溶出伏安法反向溶出汞离子,记录汞离子溶出的峰电位与峰电流值,根据不同的汞离子浓度对应的峰电流值,绘制标准曲线;(4)将待测样品加入电解池中,按照与步骤(3)完全一样的步骤和参数获得数据,代入上述标准曲线的线性方程,获得待测样品中的汞离子的浓度。本发明在电解液中引入卤素离子/类卤素离子使得检测的灵敏度提高,同时检测的电化学信号保持了很好的电流响应,具有良好的稳定性和重复性。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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