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专利基本信息
专利名称 基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN106876516B
专利申请日期 2017-02-15 专利类型 发明专利
申请公布号 201710079697X 申请公布日 2017-02-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 唐可;王宇彤;黄健;陆元曦;胡尘;邹天宇;张佳迪;王林军
专利权人 上海大学
专利摘要 本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法,在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜,在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器,再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀,结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜,从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子,α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线,再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测,从而实现对中子的探测,检测精度高,可靠性高。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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