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专利基本信息
专利名称 一种面向等离子体部件及聚变装置
专利状态 - 专利号(申请号) CN111415761A
专利申请日期 2019-01-07 专利类型 发明专利
申请公布号 2019100277854 申请公布日 2019-01-07
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 程杨洋;段慧玲;孟垂舟;余龙
专利权人 新奥科技发展有限公司;北京大学
专利摘要 本发明公开了一种面向等离子体部件及聚变装置,涉及核聚变技术领域,能够解决当前面向等离子体单元中的钨材料一部分处于低温环境和一部分处于高温环境中,脆性较大,容易形成裂纹,而导致面向等离子体部件失效的难题。该面向等离子体部件包括面向等离子体单元和冷却单元,面向等离子体单元主要由钨材料构成,且至少包括耐热晶粒层和耐冷晶粒层,耐热晶粒层位于面向等离子体单元靠近等离子体热冲击的一侧,耐冷晶粒层位于面向等离子体单元远离等离子体热冲击的一侧;面向等离子体单元沿耐热晶粒层到耐冷晶粒层的方向,所述钨材料的晶粒尺寸由大到小呈梯度变化。本发明用于直接面向等离子体,承受等离子体的热冲击。
专利价值评估分析
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