专利基本信息
| 专利名称 | 一体化光刻方法及光刻系统 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN110244523B |
| 专利申请日期 | 2019-06-06 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 2019104926416 | 申请公布日 | 2019-06-06 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 李艳秋;孙义钰;李铁;韦鹏志 | ||
| 专利权人 | 北京理工大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种一体化光刻方法及光刻系统,将二维成像过程中的所有二维图形转换为一维向量;将二维成像过程中入射光波与脉冲响应的二维卷积转换为矩阵乘法;由此,将点扩散函数转换为与光源和掩模都无关的矩阵,因此可通过预计算提前得到,可以加速优化过程中计算成像的过程;并且新的点扩散函数的每一行与分布于图形的相乘可以得到对应像面每一像素点的振幅及空间像值,在目标图形的评估点选取时直接对新的点扩散函数的某些行进行选取,因此向量化表征后的成像模型对于评估点的选取十分友好;本发明建立在矢量成像模型基础上,考虑了光的偏振特性,能够精确描述超大NA情形下光的传播、聚焦和成像过程。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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