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专利基本信息
专利名称 一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN103746037B
专利申请日期 2014-01-02 专利类型 发明专利
申请公布号 2014100010412 申请公布日 2014-01-02
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王林军;杨惠敏;黄健;张磊;任兵;陶骏;张凯勋
专利权人 上海大学
专利摘要 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法,属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法,在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜,形成ZnS薄膜/Sipn结结构紫外可见光探测器,为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器,其特点在于,采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品,所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度,且可同时探测紫外光和可见光。
专利价值评估分析
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