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专利基本信息
专利名称 一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN106947995B
专利申请日期 2017-04-28 专利类型 发明专利
申请公布号 2017102937243 申请公布日 2017-04-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 舒霞;吴玉程;王岩;崔接武;徐光青;秦永强;张勇
专利权人 合肥工业大学
专利摘要 本发明公开了一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法,采用阳极氧化工艺在高纯铜材表面生长垂直于基底并相互交错排列的铜氧化物阵列,通过在电解液中加入合适浓度的(NH4)6Mo7O24·4H2O获得单相CuO纳米片阵列薄膜,该薄膜中CuO纳米片的厚度为10‑30nm,CuO纳米片的长度300‑500nm,CuO纳米片均匀致密生长于基底材料上,呈纳米花状,与基底材料结合牢固。所制备的单相CuO纳米薄膜表现出较高比电容特性和卓越的循环稳定性,制备步骤简单可控,是一种有实际应用价值的电容电极材料。
专利价值评估分析
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