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专利基本信息
专利名称 一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN106865497B
专利申请日期 2017-03-17 专利类型 发明专利
申请公布号 2017101636501 申请公布日 2017-03-17
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王一菁;袁华堂;焦丽芳;张秋雨;黄一可;臧磊
专利权人 南开大学
专利摘要 一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法,利用碱金属氢化物、卤化镁和支撑材料在球磨的条件下原位合成。本发明的技术效果是:本发明通过置换反应在支撑材料表面原位生成氢化镁,在温和条件下制备了具有较低操作温度、较快吸放氢速率的纳米复合储氢材料,解决了以往制备纳米氢化镁材料制备条件苛刻、产品粒径大等问题,提高氢化镁储氢材料的热力学、动力学性能。
专利价值评估分析
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