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专利基本信息
专利名称 一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN106206781B
专利申请日期 2016-08-30 专利类型 发明专利
申请公布号 2016107853682 申请公布日 2016-08-30
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 刘生忠;郭小佳
专利权人 陕西师范大学
专利摘要 本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法,所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Sip层、a‑Sii层、基底、a‑Sii层、a‑Sin层和ITO层,以及在ITO层和a‑Sip层间插入高掺杂的a‑Sip+层,或在ITO层和a‑Sin层间插入高掺杂的a‑Sin+层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中,分步进行异质结太阳能电池的a‑Sii层、a‑Sin层和a‑Sip层沉积;在电池的a‑Sip/ITO层界面或a‑Sin/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Sip+层或高掺杂的a‑Sin+;最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。
专利价值评估分析
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