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专利基本信息
专利名称 一种用于强流氘‑氚中子发生器的大靶片双裂变电离室
专利状态 - 专利号（申请号） CN207263932U
专利申请日期 2017-10-19 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2017213470729 申请公布日 2017-10-19
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 兰长林;刘通;潘小东;鲍杰;史万峰;占许文;邱奕嘉;吴王锁
专利权人 兰州大学
专利摘要 本实用新型公开了一种用于强流氘‑氚中子发生器的大靶片双裂变电离室,包括圆柱状壳体,圆柱状外壳上设有进气口和出气口,圆柱状壳体内部设有绝缘柱,绝缘柱上安装有三个收集极,每两个收集极之间安装有一片238U靶片,圆柱状壳体底部设有信号出口,连接收集极的高压引线穿过信号出口。本实用新型的有益效果是可用于1013n/s以上强流氘‑氚(D‑T)中子发生器的中子产额测量的流气式双238U裂变电离室。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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