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专利基本信息
专利名称 具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN107230735A
专利申请日期 2016-03-26 专利类型 发明专利
申请公布号 2016101756104 申请公布日 2016-03-26
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王林军;季欢欢;杨瑾;黄健;吴杨琳;周家伟;沈意斌;张继军
专利权人 上海大学
专利摘要 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层(ZnTe/CdTe),从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的,给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备,以预处理过的单晶Si为衬底,先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层,再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜,之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理,并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触,最终制得薄膜光电探测器部件。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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