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专利基本信息
专利名称 电流可控型静电感应晶体管
专利状态 - 专利号(申请号) CN206040648U
专利申请日期 2016-09-23 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2016210772440 申请公布日 2016-09-23
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 杨建红;王欣;陈健;肖彤;王娇;乔坚栗
专利权人 兰州大学
专利摘要 本实用新型涉及一种电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元,其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3~0.7um,掺杂浓度为5×1014~1×1015cm‑3,隐埋层厚度为0.4~0.6um。本实用新型的器件能够在保持结构、材料以及工艺等互相影响的制造参数不变的情况下,通过改变独立的参数,来调控SIT的电学参数从而调控SIT的输出特性,从而制备出性能优良的SIT。
专利价值评估分析
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