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专利基本信息
专利名称 基于受激放大相干SPR辐射的太赫兹辐射器
专利状态 - 专利号(申请号) CN111799640B
专利申请日期 2020-06-24 专利类型 发明专利
申请公布号 2020105914353 申请公布日 2020-06-24
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 刘仿;林月钗;李津宇;黄翊东;崔开宇;冯雪;张巍
专利权人 清华大学
专利摘要 本发明实施例提供了一种基于受激放大相干Smith‑Purcell辐射的太赫兹辐射器,包括:电子发射源,用于发射电子束;泵浦源,用于发射泵浦信号,泵浦信号与一级光栅结构进行相互作用得到初步群聚电子;初步群聚电子与一级光栅结构进行相互作用产生相干Smith‑Purcell辐射;与泵浦信号在一级谐振腔结构内垂直谐振,使得电子群聚密度增大,进而使得相干Smith‑Purcell辐射增强;自由电子和相干Smith‑Purcell辐射形成正反馈过程,得到受激放大的相干Smith‑Purcell辐射和周期性群聚电子团。本发明实施例提供的太赫兹辐射器可以在小电流和大束斑的条件下实现受激放大现象。
专利价值评估分析
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