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专利基本信息
专利名称 磁场产生装置、磁控管阴极及溅射装置
专利状态 - 专利号(申请号) CN102725435B
专利申请日期 2011-08-30 专利类型 发明专利
申请公布号 2011800045488 申请公布日 2011-08-30
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 孔为;林子敬;李明;谢斌;王海千;姜友松;长江亦周
专利权人 新柯隆株式会社;中国科学技术大学
专利摘要 本发明提供一种提高靶材的利用率的磁场产生装置(10)。其配置于靶材(8)的背面并在靶材(8)的表面(8a)根据磁力线(11)产生磁场,其包括:将极轴保持在与靶材(8)的面平行的方向(X方向)上的外周磁体(144);配置于外周磁体(144)内侧并将极轴保持在与外周磁体(144)的极轴的方向平行的方向(X方向)上的中心磁体(142);从背面支承外周磁体(144)及中心磁体(142)的轭板(12);改变靶材(8)的表面(8a)的磁场分布的导磁板(16)。导磁板(16)配置于外周磁体(144)及中心磁体(142)之间。另外导磁板(16)配置为由轭板(12)从背面支承。
专利价值评估分析
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