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专利基本信息
专利名称 一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN110712119B
专利申请日期 2019-11-15 专利类型 发明专利
申请公布号 2019111168992 申请公布日 2019-11-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 檀柏梅;高宝红;杨柳;殷达;马腾达;孙晓琴;王亚珍
专利权人 河北工业大学
专利摘要 本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤:在CMP设备上,将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后,更换抛光盘,打开清洗液管路,关闭抛光液管路,进入清洗工序;完成清洗工序后,关闭清洗液管路,打开去离子水管路,通入去离子水,进行去离子清洗;最后取出硅片,氮气吹干15‑30s,完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单,无二次污染,实现了抛光与清洗一体化,减少专门清洗设备的投入,并提高了清洗效率。
专利价值评估分析
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