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专利基本信息
专利名称 一种氧化锑膜的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN105908234B
专利申请日期 2016-05-06 专利类型 发明专利
申请公布号 2016102971004 申请公布日 2016-05-06
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 张海全;侯文龙;梁波;王海龙;郭慧云;赵乐乐;程才红;彭飞;杨越冬
专利权人 燕山大学
专利摘要 一种氧化锑膜的制备方法,其主要是先按每11毫升乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液,制得电沉积液;然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积,电压为1.5‑8V,电镀时间为5‑30min,电沉积结束后,阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜;膜电极在水中浸泡1‑24小时,在氮气气氛下300度到400度热处理1‑10分钟,自然冷却至室温,在导电基体得到氧化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高,适用于工厂大批量生产,实用性强,具有很好的应用前景。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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