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专利基本信息
专利名称 一种在平头光纤端面大面积均匀制备金纳米盘阵列的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN109487318B
专利申请日期 2018-12-17 专利类型 发明专利
申请公布号 2018115392507 申请公布日 2018-12-17
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李丽霞;刘玉芳;宗雪阳
专利权人 河南师范大学
专利摘要 本发明公开了一种在平头光纤端面大面积均匀制备金纳米盘阵列的方法,属于微纳米加工技术领域。本发明的技术方案要点为:使用纤芯直径为110μm的阶跃折射率多模光纤,采用两步阳极处理方法制备出超薄高度有序的AAO模板,通过精确控制第二次阳极化处理与磷酸溶液腐蚀的时间,最终确定模板的周期为700nm、厚度为100nm、孔径为200nm,相应形成的纳米盘阵列具有相同的周期、厚度和直径。本发明具有成本低廉、制作简单、周期可控且重复性好等优点,能够简易地在光纤端面大面积制备整齐排列的金纳米盘阵列。
专利价值评估分析
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