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专利基本信息
专利名称 一种低能耗、多功能的多层纳米线阻变存储器
专利状态 - 专利号(申请号) CN107331771B
专利申请日期 2017-06-28 专利类型 发明专利
申请公布号 2017105094140 申请公布日 2017-06-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 许小红;王兰芳;李小丽;薛武红;秦秀芳
专利权人 山西师范大学
专利摘要 本发明提供了一种低能耗、多功能的多层纳米线阻变材料及其制备方法和应用,该材料包括沿纳米线纵向周期性排列的导电层和绝缘层。本发明首创性地通过在其绝缘层中分布一定数目的磁性导电颗粒来增加绝缘层中的缺陷数。当将本发明的材料用于制备阻变存储器时,外加电场作用下这些缺陷有助于导电丝的形成,从而降低电致阻变效应的操作电压,使其从高阻态向低阻态的转变电压低至1.2±0.2V,低阻态向高阻态的转变电压低至‑0.56±0.14V,并且阻变测试之前不需要电激励过程,有效减小了能耗。不仅如此,在电致阻变前后,该器件的磁性也有一定的调制。因此,该多层纳米线是一种具有低能耗电致阻变效应并能对磁性进行有效调控的多功能器件。
专利价值评估分析
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