您所在的位置: 首页 > 专利技术 > 正文
专利基本信息
专利名称 一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN105161616B
专利申请日期 2015-09-21 专利类型 发明专利
申请公布号 2015106028128 申请公布日 2015-09-21
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李小丽;贾娟;李洁;李燕春;许小红
专利权人 山西师范大学
专利摘要 一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法,包括基片和沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层和顶电极构成,所述的基片为Pt/Ti/SiO2/Si基片,所述的沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层为ZnO/ZnO‑Co,所述的顶电极为Pt或Au。本发明的有益效果在于:本发明设计并制备了ZnO/ZnO‑Co复合阻变功能膜,并在以此为基础的Pt/ZnO/ZnO‑Co/Pt器件中同时发现了电致阻变效应和磁电阻效应两种重要性质。当在顶电极上加一定正电压时,器件由高阻态转变为低阻态,继而在顶电极上加一定负电压时,器件由低阻态变为高阻态。不论该器件处于高阻态还是低阻态,其在外加磁场下,均显示室温MR效应,因此,通过电场和磁场的共同调控可以实现四个电阻态,该器件可用于多态存储器。
专利价值评估分析
相关推荐
Baidu
map