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专利基本信息
专利名称 硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜
专利状态 - 专利号（申请号） CN108227048B
专利申请日期 2018-01-26 专利类型 发明专利
申请公布号 2018100784356 申请公布日 2018-01-26
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 路海;董超;张军;夏世强;沈克胜;熊宗刚;张现周
专利权人 河南师范大学
专利摘要 本发明公开了硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜,在双面抛光的硅晶片基底的两面分别沉积正面膜系和背面膜系,所述正面膜系的膜系结构为:基底/1.0814M/0.4048H/1.3307L/0.235M/0.608L/Air;所述背面膜系的膜系结构为:基底/1.3626M/0.5101H/1.6767L/0.24M/0.7661L/Air;其中H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层,M表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层,L表示一个λ0/4光学厚度的YF3膜层,λ0为中心波长,H、M和L前的数字为膜层的厚度比例系数。本发明提出了硅基底的一种具有低发射率的红外增透膜,增透区域光谱范围为广(3.5‑15μm范围内均有明显增透效果),且在4.5‑8.5μm范围内平均透过率≥97.6%,同时在工作波段内具有较低的发射率。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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