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专利基本信息
专利名称 太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN103531656B
专利申请日期 2013-09-05 专利类型 发明专利
申请公布号 2013103982163 申请公布日 2013-09-05
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李同彩;胡思福;温才;唐金龙;李晓红;刘德雄;张军
专利权人 西南科技大学
专利摘要 本发明为太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法,解决巳有酸碱结合的单晶硅片绒面制备方法制备的单晶硅片表面反射率低的问题。清洗单晶硅片后,将其放入第一碱性溶液中,在[100]晶向的单晶硅片正面表面上形成第一层绒面,用酸性溶液清洗第一层绒面,再将单晶硅片放入第二碱性溶液中,对四棱锥的四个[111]晶面进行腐蚀,形成三角形滑移面堆积的、分层的单晶硅片的第二层绒面,这两层绒面构成太阳能电池的高效光吸收结构,用酸性溶液清洗单晶硅片的绒面,再用热氧化法或PECVD法或磁控溅射法,在多层绒面结构的表面生长厚度为0.1~0.4um的二氧化硅膜或厚度为0.08~0.15um的氮化硅增透膜。全光谱范围内的反射率显著降低,明显提高太阳能电池的转换效率。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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