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专利基本信息
专利名称 一种稀土掺杂GaN发光粉体及其制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2013101817034
专利申请日期 2013-05-16 专利类型 发明专利
申请公布号 201310181703 申请公布日 2013-05-16
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 苏州科技学院
专利摘要 本发明涉及一种稀土掺杂GaN发光粉体及其制备方法,其化学式为Ga(1-x-y)RexAyN,Re为Ce3+、Pr3+、Nd3+、Pm3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+和Yb3+中的一种,A为B3+或Al3+,x为Re的含量,y为B3+或Al3+的含量,0.1%≦x≦10.0%,0.1x≦y≦x。将原料混合后在500~1000℃的真空石英管中保温8~16小时,研磨后再在1000~1150℃的氨气气氛中保温10~20小时,得到发光粉体材料。本发明改善了由于Re3+和Ga3+之间的半径失配而造成的晶格畸变,有效提高了GaN粉体材料的发光性能。
专利价值评估分析
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