专利基本信息
| 专利名称 | 一种氮掺杂二氧化铅电极及其制备方法和应用 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN106315772B |
| 专利申请日期 | 2016-08-17 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 2016106777304 | 申请公布日 | 2016-08-17 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 何志桥;余岩;宋爽;张博文 | ||
| 专利权人 | 浙江工业大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明提供了一种氮掺杂二氧化铅电极及其制备方法和在处理废水中4‑CP的应用,所述的氮掺杂二氧化铅电极从内到外依次由钛基体、电沉积在钛基体上的α‑PbO2底层和电沉积在α‑PbO2底层上的氮掺杂的β‑PbO2活性层组成。本发明制备过程简单,去除废水中的4‑CP效果明显,制备的电极具造价低、活性高、寿命长等特点,在电催化处理废水中的4‑CP的应用中,具有非常广阔的市场开发前景。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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