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专利基本信息
专利名称 一种金属化光纤光栅级联F-P结构的磁场和温度传感器
专利状态 - 专利号（申请号） CN212749212U
专利申请日期 2020-06-30 专利类型 实用新型专利
申请公布号 202021251839X 申请公布日 2020-06-30
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 涂帆;刘月明;冯森林
专利权人 中国计量大学
专利摘要 本发明是一种金属化光纤光栅级联F‑P结构的磁场和温度传感器,包括激光光源(1)、光纤环形器(2)、传感探头(3)、第一信号处理模块(4),第二信号处理模块(5),其中传感探头(3)包括光纤光栅(3‑1)、铝金属膜(3‑2)、磁流体(3‑3)、毛细玻璃管(3‑4)、环氧树脂(3‑5)、单模光纤(3‑6),光纤光栅与单模光纤轴向对准后设置微米量级的间隔置于毛细玻璃管内形成F‑P腔,填充磁流体的F‑P腔利用磁流体可调折射率特性来改变F‑P腔的等效腔长从而实现磁场的测量,金属化光纤光栅利用光栅热膨胀效应以及金属膜的增敏性改变光栅周期从而实现温度的测量,通过测量反射光谱和透射光谱的漂移量,来实现磁场和温度的双参量测量。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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