技术简介

本发明涉及制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法，可以实现0x1全成分范围内的调控。所述制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法为：采用化学气相沉积法，以无水GaCl3为镓源，无水AlCl3为铝源，在GaCl3和AlCl3的蒸发温度分别为70～90℃和130～150℃条件下，与氮源反应，生成单相AlxGa1-xN纳米锥，其中0x1。优选氮源为NH3，沉积温度为650~800℃。本发明在三段温区的管式炉中精细调控反应前驱物（GaCl3和AlCl3）的蒸气分压，得到的一维纳米材料具有单晶结构，成分分布均匀且可通过改变生长条件在全成分范围内（x=0~1）调变其Al/Ga原子比。