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专利基本信息
专利名称 一种Ag-SiO2-Ag纳米球阵列的制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2015100538108
专利申请日期 2015-02-02 专利类型 发明专利
申请公布号 201510053810 申请公布日 2015-02-02
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 华南师范大学
专利摘要 本发明实施例提供一种Ag-SiO2-Ag纳米球阵列的制备方法,所述方法包括:在单晶硅样品硅片表面热蒸镀一层银薄膜;将单晶硅样品放入化学气相沉积反应腔中加热至预设温度,使银薄膜固态脱湿以形成银纳米颗粒;在所述预设温度下通入反应气体硅烷,使银纳米颗粒表面均匀沉积一层极薄的硅纳米薄膜,得到Ag-Si核壳纳米球阵列结构;再将单晶硅样品取出放置在氧气气氛中加热,使Si纳米壳氧化成SiO2;在样品表面再热蒸镀预设厚度的银薄膜,以形成Ag-SiO2-Ag核-壳纳米球阵列结构,以作为表面增强拉曼散射SERS的基底。本发明可以提供一种具有表面增强拉曼效应的Ag-SiO2-Ag纳米球阵列的制备方法的技术方案。
专利价值评估分析
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