您所在的位置: 首页 > 专利技术 > 正文
专利基本信息
专利名称 一种低温桥路型超导故障限流器
专利状态 - 专利号(申请号) CN1874102
专利申请日期 2005-06-01 专利类型 发明专利
申请公布号 CN200510011831.X 申请公布日 2005-06-01
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 赵彩宏,黄晓华,肖立业,林良真,余运佳
专利权人 中国科学院电工研究所
专利摘要 一种用于输配电网的低温桥路型超导故障限流器,安装于系统线路出口 处与断路器DL相串联,由四个MOSFET[T,1,、T,2,、T,3,、T,4,]组成整流桥, MOSFET[T,1,、T,3,]组成一个桥臂,[T,2,、T,4,]组成另一个桥臂;其直流侧联接 超导线圈[L],交流侧串联于交流线路中;构成低温部分的功率场效应晶体 管(Power MOSFET),特别是其高压器件置于液氮温区;两根整流桥交流侧 的电流引线引出与系统相连。本发明利用了MOSFET在低温下通态损耗降 低、电流工作区提高,二极管在低温下管压降升高的优点,使装置效率高, 结构简单,运行可靠,也有利于系统的串并联,提高了应用电网的电压等级 和限流能力,提高系统的稳定性。
专利价值评估分析
相关推荐
Baidu
map