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专利基本信息
专利名称 硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片
专利状态 - 专利号（申请号） CN106788765B
专利申请日期 2016-11-30 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201611088806.6 申请公布日 2016-11-30
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李明,唐健,刘宇,袁海庆,祝宁华
专利权人 中国科学院半导体研究所
专利摘要 本发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片,该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括：2个单模垂直耦合光栅,2个调制模块,1个2×1多模干涉耦合器,1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双波长、双偏振态工作,将偏振复用与波分复用相结合,实现复杂格式调制,提高数据调制速率。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片可实现双偏振16进制正交幅度调制,满足下一代光通信系统要求的高阶格式调制,调制速率可达到甚至超过400Gbit/s。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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