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专利基本信息
专利名称 ,一种用于经颅磁刺激大脑诱发脑电伪迹去除的方法,
专利状态 - 专利号(申请号) CN105193412A
专利申请日期 2015-08-25 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201510528606.7 申请公布日 2015-08-25
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 殷涛,金芳,刘志朋,靳静娜
专利权人 中国医学科学院生物医学工程研究所
专利摘要 一种用于经颅磁刺激大脑诱发脑电伪迹去除的方法,利用电场仿真或利用电场测量,通过标定磁刺激线圈产生感应电场的方法,确定脑电采集装置和磁刺激线圈相对应的最佳位置,检测并获取脑电信号。本发明在确定经颅磁刺激大脑刺激区域时将脑电采集装置和刺激线圈的相对位置和角度进行了考虑,通过仿真或测量线圈感应电场强度和方向,逐步修正导线和线圈的相对位置,修正TMS下脑电信号。能除去绝大部分TMS下EEG的伪迹,能够使TMS诱发脑电信号更加精确,减轻TMS的副作用,且保证其刺激效果,充分体现TMS在脑网络传递中的作用,对TMS诱发脑电的研究有非常重要的意义。利用本方法可将伪迹的幅值减少10~20倍,可将伪迹的持续时间减少30%。
专利价值评估分析
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