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专利基本信息
专利名称 一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法
专利状态 专利权维持 专利号（申请号） 2012103907825
专利申请日期 2012-10-15 专利类型 发明专利
申请公布号 201210390782 申请公布日 2012-10-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 浙江大学
专利摘要 本发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法，其中，高导电性的减反射膜为双层膜，底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜，顶层为SiO2薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法，包括如下步骤：1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜，2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀，3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理，4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO2薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备，具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点，可以降低太阳电池对太阳光的反射率，从而提高太阳电池的转换效率。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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