您所在的位置: 首页 > 专利技术 > 正文
专利基本信息
专利名称 一种FeS2薄膜及其制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 201410103793X
专利申请日期 2014-03-19 专利类型 发明专利
申请公布号 201410103793 申请公布日 2014-03-19
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 浙江大学
专利摘要 一种FeS2薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底;配置种子层溶液;室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜,在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层;配置前驱体溶液;使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜;室温下将具有ZnO纳米棒阵列薄膜的使基底的表面覆盖有Fe(OH)3纳米棒阵列;硫化处理,Fe(OH)3纳米棒阵列转化为FeS2纳米棒阵列。一种FeS2薄膜,包括由FTO导电玻璃制成的基底,基底上覆盖有FeS2纳米棒阵列,每个FeS2纳米棒由FeS2纳米颗粒堆积而成。本发明具有通过增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。
专利价值评估分析
相关推荐
Baidu
map