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专利基本信息
专利名称 BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2014100376715
专利申请日期 2014-01-26 专利类型 发明专利
申请公布号 201410037671 申请公布日 2014-01-26
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 浙江大学
专利摘要 本发明公开了一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4,0.9≤x≤0.95,以NZFO晶相为主相,BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围,形成铁电/铁磁两相复合陶瓷。制备方法为:首先,制得BTO/NZFO复合粉体;其次经加压成型,并在低于最高致密化烧结温度下进行烧结,得到BTO/NZFO复合陶瓷;然后,再将烧结温度升高,使含量较少的BTO相完全融化成液态,将NZFO相的晶粒完全分隔开来,接着,再将复相陶瓷快速冷却至室温,将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态;最后,将复相陶瓷进行二次退火处理,使玻璃态BTO再结晶。本发明的复相陶瓷,其渗流阈值可达90%以上,同时具有高介电常数、高磁导率和较低的介电损耗、磁损耗。
专利价值评估分析
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