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专利基本信息
专利名称 一种太阳电池硅片表面生成多孔硅的方法
专利状态 专利权维持 专利号（申请号） 2013100148470
专利申请日期 2013-01-15 专利类型 发明专利
申请公布号 201310014847 申请公布日 2013-01-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 浙江大学;镇江大成新能源有限公司
专利摘要 本发明公开了一种太阳电池硅片表面生成多孔硅的方法，包括：1）选用硅片，并进行清洗；2）将清洗后的硅片去损与制绒；3）在扩散炉中通过扩散源在硅片表面形成发射极层，形成PN结；4）将硅片浸入银纳米颗粒的溶液中，在硅片表面沉积一层银纳米颗粒；5）将硅片置于腐蚀体系中，催化腐蚀至多孔结构均匀覆盖在硅片表面，生成多孔硅。本发明采用尺寸可控银纳米颗粒沉积到硅片表面后用腐蚀体系腐蚀，实现了硅片表面的大面积均匀腐蚀，提高多孔硅上多孔结构均匀性并降低反射率，可用于制备多孔硅太阳电池，在没有镀任何SiNx层的基础上，该多孔硅太阳电池的转换效率可达15.7%，电池的绝对效率较常规太阳电池提高了2%左右。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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