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专利基本信息
专利名称 一种二硫化钨单层薄膜的制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 201610348875X
专利申请日期 2016-05-23 专利类型 发明专利
申请公布号 201610348875 申请公布日 2016-05-23
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 浙江师范大学
专利摘要 一种二硫化钨单层薄膜的制备方法,采用CVD方法,以纯度为99.99%高纯三氧化钨作为钨源和纯度为99.9%高纯硫作为硫源,以纯度为99.999%的高纯氩气作为载气,以纯度为99.999%的氢气作为反应催化气体,以蓝宝石衬底作为反应衬底,制备而成。本发明具有简单易行、能获得大尺寸高质量二硫化钨薄膜材料的优点,是一种既经济实惠又简单的制备方法。
专利价值评估分析
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