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专利基本信息
专利名称 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法
专利状态 专利权维持 专利号（申请号） 2010101777762
专利申请日期 2010-05-20 专利类型 发明专利
申请公布号 201010177776 申请公布日 2010-05-20
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 厦门大学
专利摘要 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼,再将造渣剂覆盖在块状硅料上,得硅块混料;对熔炼炉抽真空,当真空抽至800～1200Pa时停止抽气,再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气;将硅块混料加热融化,通入水蒸气,再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上,冷却后,取出硅料;将造渣后的硅料破碎磨粉,得硅粉;将硅粉用盐酸浸泡;将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡;将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡,得已去除磷和硼的冶金级硅。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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