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专利基本信息
专利名称 一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件
专利状态 - 专利号(申请号) CN110729405B
专利申请日期 2019-09-20 专利类型 发明专利
申请公布号 2019108914761 申请公布日 2019-09-20
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 杜祖亮;蒋晓红;马玉婷;田雨
专利权人 河南大学
专利摘要 本发明属于发光二极管技术领域,具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V2O5中掺杂Ti制备Ti‑V2O5溶液,将Ti‑V2O5溶液旋涂于ITO基片上,形成薄膜层作为正置型QLED器件的空穴注入层,并对掺杂比例、旋涂时的转速以及臭氧时间进行优化,制备得到基于Ti掺杂V2O5空穴注入层的QLED器件,并对所制备的QLED器件性能进行检测。所述QLED器件由于掺杂Ti可以使V2O5的导带位置下移,降低了空穴注入势垒,有利于空穴注入层中空穴的注入,所制备QLED器件的参数中,最大电流效率为52.28cd/A,EQE为13.35%。
专利价值评估分析
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