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专利基本信息
专利名称 一种阴极真空弧等离子体磁过滤装置及其应用
专利状态 - 专利号(申请号) CN108546920B
专利申请日期 2018-04-20 专利类型 发明专利
申请公布号 2018103580505 申请公布日 2018-04-20
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 廖斌;欧阳晓平;张丰收;张旭;吴先映
专利权人 北京师范大学
专利摘要 本发明公开了一种阴极真空弧等离子体磁过滤装置,包括阳极筒(2),阳极筒(2)上依次设置有第一强脉冲线包(201)和抑制线包(202)。该阴极真空弧等离子体磁过滤装置弧斑运动速度高,能明显减少因局部温升造成的大颗粒的喷射;沉积速率为现有技术条件下沉积速度的1‑3倍;由传统磁过滤技术的高斯分布变成在束斑直径范围内的均匀分布,厚度差小于10%,可大幅提高膜层的均匀性;在磁场配合下,源靶材尺寸为100mm时,等离子体的束斑可以实现300mm以上尺寸工件镀膜。
专利价值评估分析
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