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专利基本信息
专利名称 一种氮化碳场发射阴极的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN102361000A
专利申请日期 2011-10-16 专利类型 发明专利
申请公布号 2011103126741 申请公布日 2011-10-16
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 翟春雪;张志勇;杨延宁;赵武;王雪文;闫军锋
专利权人 西北大学
专利摘要 本发明公开了一种CNx场发射阴极的制作方法,该方法选择钛片作为基底,利用悬浊液静置沉降法在基底上形成含有CNx的胶膜,通过HFCVD热处理在基底与CNx颗粒之间键合生成TiC过渡层。其制作方法包括:先对基底钛片进行抛光处理,然后利用悬浊液静置沉降法在其上形成含有CNx颗粒的有机胶膜,最后采用真空热处理使有机胶膜分解挥发,同时形成CNx颗粒与基底的键合。本发明制备的CNx平面场发射阴极,由于在基底与CNx颗粒之间键合生成过渡层,降低了界面处的电子势垒,实现高密度的电子注入,同时,也加强了CNx与基底的黏附性。该法制备CNx场发射阴极,工艺简单、成本低廉、易于推广。
专利价值评估分析
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