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专利基本信息
专利名称 一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN104795497B
专利申请日期 2014-12-18 专利类型 发明专利
申请公布号 2014107964489 申请公布日 2014-12-18
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 邱龙臻;朱闵;王迎;王庆贺
专利权人 合肥工业大学
专利摘要 本发明公开了一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法,包括:在基片的栅绝缘层上形成亲水区域;合成原子转移自由基聚合(ATRP)硅烷末端引发剂,溶液法将以上ATRP硅烷末端引发剂生长在基片的绝缘层上,形成ATRP引发剂单分子层。ATRP引发剂单分子层引发单体在基片表面发生原子转移自由基聚合,通过聚合反应在基片表面形成一层聚合物分子刷作为喷墨打印有机薄膜晶体管栅绝缘层的修饰层;通过控制聚合时间,不同程度的改变聚合物分子刷修饰层的膜厚,以调控喷墨打印的半导体墨滴单点薄膜的尺寸、形貌和结晶形态,从而调控喷墨打印单点器件的电学性能。
专利价值评估分析
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